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磁控濺射實驗設備

(科學實驗設備)
科學實驗用小型真空鍍膜機,適用于材料、物理、電子、能源、機械等學科領域的科學研究與技術開發(fā),主要用于功能薄膜材料與器件的制備以及材料的表面處理。產(chǎn)品種類主要包括磁控濺射實驗設備、真空蒸鍍實驗設備以及手套箱集成真空鍍膜設備。
產(chǎn)品優(yōu)點:
實驗用真空鍍膜機具有外形美觀、結(jié)構緊湊、占地面積小、易維護的特點??蓪崿F(xiàn)全自動控制或手動控制、操作簡單可靠,可自動完成各種鍍膜工藝參數(shù)。
薄膜性能穩(wěn)定、鍍層附著力好,鍍層細膩致密,表面光潔度高,且均勻性一致性良好。
基底和薄膜材料選擇廣泛、可沉積多層膜,可沉積金屬、陶瓷、有機類薄膜材料。
可將磁控濺射技術和真空蒸發(fā)技術結(jié)合在同一鍍膜設備里,既利用磁控濺射陰極輝光放電將靶材原子濺出并部分離化沉積在基材上成膜,同時又可利用在真空中以電阻加熱將金屬鍍料熔融并讓其汽化再沉積在基材上成膜,增加了設備的用途和靈活性。
可將真空鍍膜機與惰性氣氛手套箱集成,整個鍍膜工藝、及后續(xù)的器件制備與封裝都在真空與惰性氣氛下進行,適用于對水氧敏感的有機半導體材料及鈣鈦礦材料的制備。
產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品詳情
磁控濺射實驗設備 NH-MG系列
 


NH-MG300TEP NH-MG500TEP NH-MG800TEP
真空室尺寸 Ф300×H300mm Ф500×H500mm Ф800×H800mm
可鍍區(qū)域 Ф50mm 平面基片 Ф100mm 平面基片 Ф500×H500mm 掛鍍
靶數(shù)量 1-2 3-4 4-6
真空系統(tǒng) 機械泵+分子泵 機械泵+羅茨泵+分子泵
極限真空 8×10-5pa 5×10-4pa
抽氣時間 充惰性氣體換基片的情況下抽到5×10-4Pa≤30分鐘 抽到5×10-3Pa≤30分鐘
工件旋轉(zhuǎn) 旋轉(zhuǎn)升降基片臺,轉(zhuǎn)速0-30轉(zhuǎn)/分 6軸公自轉(zhuǎn)/變頻無級調(diào)速
基片加熱 最高600℃ 最高400℃
電源類型 直流磁控電源、脈沖直流電源、中頻磁控電源、射頻磁控電源
靶類型 直流磁控靶、中頻孿生靶、平面靶、圓柱靶、強磁靶
真空室結(jié)構 立式單開門
氣體控制 質(zhì)量流量控制儀(1-4路)
控制方式 PLC智能控制+HMI全彩人機觸控界面,實現(xiàn)全自動控制
應用領域 金屬與化合物功能薄膜的制備,半導體、光電、新能源、磁性、量子器件的研發(fā)
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